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GaNパワー半導体製品

GaNパワー半導体とは

GaNパワー半導体は、GaN(Gallium Nitride、窒化ガリウム)を材料とする次世代のパワー半導体です。GaNは、従来のパワー半導体の材料であるSi(シリコン)に比べて、絶縁破壊電界、バンドギャップ、飽和電子速度、キャリア移動度、熱伝導率などの材料特性が優れております。
その結果、GaNパワー半導体は、低オン抵抗、高速動作、高温動作においてSiパワー半導体の性能限界を超えた特性を示します。
このようなGaNパワー半導体を搭載したアプリケーション製品は、従来の製品に比べて、「低損失化」、「小型化」などの製品価値向上を実現します。
また、最近の省エネルギー化、製品の小型化要求、PC用電源の電力効率規格(PLUS80)などの市場要求を背景に、PC、サーバー等ITC機器用電源装置、太陽光用パワーコンディショナ、モータドライブ用インバータなどにGaNパワー半導体が適用されてきております。

GaNパワー半導体とは

GaNパワー半導体が提供するメリット

現在、GaN系トランジスタであるGaN-HEMT(GaN-High Electron Mobility Transistor, 窒化ガリウム高電子移動度トランジスタ)を提供しております。

GaN-HEMTは、次の特長を有しており、搭載製品において新たな付加価値を提供いたします。

低損失化 オン損失、スイッチング損失の削減により、Siパワー半導体に比べて低損失化を実現いたします。
小型化 低損失化に伴う放熱部品の削減、高速スイッチング化により周辺部品の縮小により、搭載製品の小型化を実現いたします。
低損失化 小型化

GaNパワー半導体に適したアプリケーション

お客様製品の高効率・小型化を実現します。

高効率・小型化用途

製品ラインナップ

GaN-HEMT(トランジスタ)

外観 型名 外形 Io
[A]
VRRM
[V]
Tab RDS,
Max
[mΩ]
Sub. ステータス
TPH3006PS,TPH3006PD TPH3006PS TO-220 17 600 Source 180 Si サンプル
提供可能
TPH3006PD Drain
TPH3006LS,TPH3006LD TPH3006LS HV PQFN 15 600 Source 180 Si サンプル
提供可能
TPH3006LD Drain

評価ボード

各種、評価ボードをご用意しております。

外観 製品名 型名 仕様 リーフ
レット
PFC回路評価キット (400W/680kHz) PFC回路評価キット
(400W/680kHz)
TDPS400E1A7-KIT
  • PFC回路評価用
  • スイッチング周波数:680/200kHz
  • 出力容量:400W(AC230V)
  • 入力:AC115-230V
  • 出力:DC380V
PDF
PFC回路評価キット (1kW/133kHz) PFC回路評価キット
(1kW/133kHz)
TDPS500E2A2-KIT
  • PFC回路評価用
  • スイッチング周波数:133/200kHz
  • 出力容量:1kW(AC230V)
  • 入力:AC115-230V
  • 出力:DC380V
PDF
Totem-Pole PFC評価キット(1kW) Totem-Pole
PFC評価キット
(1kW)
TDPS500E2C1-KIT
  • ブリッジレスPFC回路評価用
  • 効率(peak):99%
  • 出力容量:1kW(AC230V)
  • 入力:AC100-240V
  • 出力:DC390V
PDF
LLCコンバータキット(250W) LLCコンバータキット
(250W)
TDPS250E0D2-KIT
  • LLC DC/DCコンバータ回路評価用
  • 効率(peak):97%
  • スイッチング周波数:200kHz
  • 出力容量:400W
  • 入力:DC390V
  • 出力:DC12V
PDF
モータドライブ/インバータ モータドライブ/
インバータ
2kW評価キット
TDMC2000E01-KIT
  • 三相インバータ(2kW/4kW)
  • 6in1 GaN-HEMTモジュール搭載
  • 電圧・電流センサ、出力フィルタ搭載
  • DSP(TI)搭載
  • サンプル制御ソフト付属
  • 評価用モータ付属
PDF
モータドライブ/
インバータ
4kW評価キット
TDMC4000E01-KIT

Transphorm社について

  • 米国、Transphorm社は、GaNパワーデバイスの実用化におけるリーディングカンパニーです。
  • 創立は、2007年。
  • 業界で初めて、600VGaN(GaN on Si) HEMTデバイスのJEDEC規格に準拠した品質認証テストをパスしております。
  • Transphorm社は、Si(シリコン)基板上に、GaNを堆積させる製造技術(GaN on Si)を確立し、GaNエピタキシャル結晶層の形成、前工程設計、パッケージング設計、製造、品質管理までトータルに行っております。
  • 日本インターは、2012年10月にTransphorm社と資本提携、業務提携を結んでおり、国内および中華圏における代理販売を行っております。
Transphorm社について

GaNパワー半導体製品に関するお問い合わせ

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*Transphorm社製品販売に際しての注意事項

  1. 本製品は、米国Transophorm社との販売契約上、日本インター株式会社が販売できる地域/会社に制限がございます。
  2. サンプル品、製品の提供、仕様書・アプリケーションノートの詳細情報の提供については、秘密保持契約(NDA)を締結いただいた上でのご提供となります。
  3. 詳細については、当社営業担当までお問い合わせ願います。